Skip to main content
banner image
No data available.
Please log in to see this content.
You have no subscription access to this content.
No metrics data to plot.
The attempt to load metrics for this article has failed.
The attempt to plot a graph for these metrics has failed.
The full text of this article is not currently available.
D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature 453, 80 (2008).
M. Prezioso, F. Merrikh-Bayat, B. D. Hoskins, G. C. Adam, K. K. Likharev, and D. B. Strukov, Nature 521, 61 (2015).
F. Pan, S. Gao, C. Chen, C. Song, and F. Zeng, Mater. Sci. Eng., R 83, 1 (2014).
F. Alibart, E. Zamanidoost, and D. B. Strukov, Nat. Commun. 4, 2072 (2013).
E. Linn, R. Rosezin, C. Kugeler, and R. Waser, Nat. Mater. 9, 403 (2010).
Q. Liu, J. Sun, H. B. Lv, S. B. Long, K. B. Yin, N. Wan, Y. T. Li, L. T. Sun, and M. Liu, Adv. Mater. 24, 1844 (2012).
S. B. Long, L. Perniola, C. Cagli, J. Buckley, X. J. Lian, E. Miranda, F. Pan, M. Liu, and J. Sune, Sci. Rep. 3, 2929 (2013).
T. Chang, S. H. Jo, and W. Lu, ACS Nano 5, 7669 (2011).
Z. Q. Wang, H. Y. Xu, X. H. Li, H. Yu, Y. C. Liu, and X. J. Zhu, Adv. Funct. Mater. 22, 2759 (2012).
B. Gao, Y. J. Bi, H. Y. Chen, R. Liu, P. Huang, B. Chen, L. F. Liu, X. Y. Liu, S. M. Yu, H. S. P. Wong, and J. F. Kang, ACS Nano 8, 6998 (2014).
S. G. Hu, Y. Liu, T. P. Chen, Z. Liu, Q. Yu, L. J. Deng, Y. Yin, and S. Hosaka, Appl. Phys. Lett. 102, 183510 (2013).
S. M. Yu, Y. Wu, R. Jeyasingh, D. Kuzum, and H. S. P. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 58, 2729 (2011).
T. Ohno, T. Hasegawa, T. Tsuruoka, K. Terabe, J. K. Gimzewski, and M. Aono, Nat. Mater. 10, 591 (2011).
S. B. Long, X. J. Lian, C. Cagli, X. Cartoixa, R. Rurali, E. Miranda, D. Jimenez, L. Perniola, M. Liu, and J. Sune, Appl. Phys. Lett. 102, 183505 (2013).
H. T. Sun, Q. Liu, C. F. Li, S. B. Long, H. B. Lv, C. Bi, Z. Huo, L. Li, and M. Liu, Adv. Funct. Mater. 24, 5679 (2014).
Y. Li, Y. P. Zhong, Y. X. Zhou, S. J. Zhong, Y. Z. Hu, L. O. Chua, and X. S. Miao, Adv. Electron. Mater. 1, 1500125 (2015).
S. B. Long, X. J. Lian, T. Ye, C. Cagli, L. Perniola, E. Miranda, M. Liu, and J. Sune, IEEE Electron Device Lett. 34, 623 (2013).
D. Mahalanabis, H. J. Barnaby, Y. Gonzalez-Velo, M. N. Kozicki, S. Vrudhula, and P. Dandamudi, Solid-State Electron. 100, 39 (2014).
D. Kuzum, R. G. D. Jeyasingh, B. Lee, and H. S. P. Wong, Nano Lett. 12, 2179 (2012).
S. H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, P. Mazumder, and W. Lu, Nano Lett. 10, 1297 (2010).
F. Zhuge, J. Li, H. Chen, J. Wang, L. Q. Zhu, B. R. Bian, B. Fu, Q. Wang, L. Li, R. B. Pan, L. Y. Liang, H. L. Zhang, H. T. Cao, H. Zhang, Z. C. Li, J. H. Gao, and K. Li, Appl. Phys. Lett. 106, 083104 (2015).
F. Zeng, S. Z. Li, J. Yang, F. Pan, and D. Guo, RSC Adv. 4, 14822 (2014).
Y. Lei, Y. Liu, Y. D. Xia, X. Gao, B. Xu, S. D. Wang, J. Yin, and Z. G. Liu, AIP Adv. 4, 077105 (2014).
W. He, K. J. Huang, N. Ning, K. Ramanathan, G. Q. Li, Y. Jiang, J. Y. Sze, L. P. Shi, R. Zhao, and J. Pei, Sci. Rep. 4, 4755 (2014).
Z. H. Tan, R. Yang, K. Terabe, X. B. Yin, X. D. Zhang, and X. Guo, Adv. Mater. 28, 377 (2016).
F. Zhuge, K. Li, B. Fu, H. L. Zhang, J. Li, H. Chen, L. Y. Liang, J. H. Gao, H. T. Cao, Z. M. Liu, and H. Luo, AIP Adv. 5, 057125 (2015).
H. Chen, F. Zhuge, B. Fu, J. Li, J. Wang, W. G. Wang, Q. Wang, L. Li, F. G. Li, H. L. Zhang, L. Y. Liang, H. Luo, M. Wang, J. H. Gao, H. T. Cao, H. Zhang, and Z. C. Li, Carbon 76, 459 (2014).
J. H. Yoon, S. J. Song, I. H. Yoo, J. Y. Seok, K. J. Yoon, D. E. Kwon, T. H. Park, and C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater. 24, 5086 (2014).
J. H. Yoon, K. M. Kim, S. J. Song, J. Y. Seok, K. J. Yoon, D. E. Kwon, T. H. Park, Y. J. Kwon, X. Shao, and C. S. Hwang, Adv. Mater. 27, 3811 (2015).
B. J. Choi, A. B. K. Chen, X. Yang, and I. W. Chen, Adv. Mater. 23, 3847 (2011).
Y. Li, Y. P. Zhong, L. Xu, J. J. Zhang, X. H. Xu, H. J. Sun, and X. S. Miao, Sci. Rep. 3, 1619 (2013).
R. B. Pan, J. Li, F. Zhuge, L. Q. Zhu, L. Y. Liang, H. L. Zhang, J. H. Gao, H. T. Cao, and K. Li, Appl. Phys. Lett. 108, 013504 (2016).
S. S. Peng, F. Zhuge, X. X. Chen, X. J. Zhu, B. L. Hu, L. Pan, B. Chen, and R. W. Li, Appl. Phys. Lett. 100, 072101 (2012).
F. Zhuge, S. S. Peng, C. L. He, X. J. Zhu, X. X. Chen, Y. W. Liu, and R. W. Li, Nanotechnology 22, 275204 (2011).
F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
H. S. Yang, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 87, 212106 (2005).
R. Knut, R. Lindblad, S. Grachev, J. Faou, M. Gorgoi, H. Rensmo, E. Sondergard, and O. Karis, J. Appl. Phys. 115, 043714 (2014).
L. J. Brillson and Y. C. Lu, J. Appl. Phys. 109, 121301 (2011).
K. M. Kim, B. J. Choi, M. H. Lee, G. H. Kim, S. J. Song, J. Y. Seok, J. H. Yoon, S. Han, and C. S. Hwang, Nanotechnology 22, 254010 (2011).
H. K. Kim, S. W. Kim, B. Yang, S. H. Kim, K. H. Lee, S. H. Ji, and Y. S. Yoon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 1560 (2006).
T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, I. Valov, R. Waser, and M. Aono, Adv. Funct. Mater. 22, 70 (2012).

Data & Media loading...


Article metrics loading...



An anomalous rectification was observed in a purely electronic memristive device Ti/ZnO/Pt. It could be due to (1) an Ohmic or quasi-Ohmic contact at the ZnO/Pt interface and (2) a Schottky contact at the Ti/ZnO interface. The Ohmic contact originates from the reduction of ZnO occurring in the whole film instead of only at the Ti/ZnO interface. The Schottky contact may come from moisture adsorbed in the nanoporous ZnO. The conduction in the electroformed device is controlled by the carrier trapping/detrapping of the trap sites, inducing a poor rectification and high nonlinearity. Furthermore, a complementary resistive switching was achieved.


Full text loading...


Access Key

  • FFree Content
  • OAOpen Access Content
  • SSubscribed Content
  • TFree Trial Content
752b84549af89a08dbdd7fdb8b9568b5 journal.articlezxybnytfddd